雜質(zhì)濃度測試儀
產(chǎn)品型號: KDB-1A
產(chǎn)品簡介
原理:根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系,可直接測量、計算出晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度。
范圍:它適合于測量橫截面尺寸是可測量的,而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒,例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。
用途:根據(jù)測量沿錠長雜質(zhì)濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分,通過雜質(zhì)濃度的直接測量,決定晶體生長過程中的摻雜數(shù)量。
樣品可在常溫或低溫下測量。
顯示方式:儀器連接PC機,通過測試軟件計算,用對數(shù)坐標(biāo)的方式來顯示雜質(zhì)濃度(含次方數(shù))沿錠長的分布曲線,可對曲線圖進(jìn)行打印和保存。
測量范圍: 可測晶體電阻率:0.005-3000Ω·cm。
直流數(shù)字電壓表測量范圍:0-199.99mV,靈敏度:10μA。