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DBC-112晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái) 概述

發(fā)布時(shí)間: 2020-10-15  點(diǎn)擊次數(shù): 716次

晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái) 型號(hào):DBC-112
一、晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)概述:
    該測(cè)試臺(tái)是將晶閘管及整流二管的多個(gè)靜態(tài)直流參數(shù)的測(cè)試制作在一起的綜合性測(cè)試臺(tái),能測(cè)試晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM、IH、VGT、IGT、ITM、VTM及整流二管的VRRM、IRRM、IFM、VFM多項(xiàng)參數(shù),測(cè)試方法符合GB4023-83、GB4024-83的規(guī)定。所有的參數(shù)均為數(shù)字顯示,讀數(shù)直觀準(zhǔn)確。設(shè)備內(nèi)還自帶示波器用于觀看伏安特性曲線(xiàn)。該設(shè)備具有操作簡(jiǎn)單,測(cè)試準(zhǔn)確,重復(fù)性好等特點(diǎn),是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)和使用單位Z為理想的檢測(cè)設(shè)備。
二、晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)主要技術(shù)指標(biāo)和參數(shù):
 1.峰值電壓測(cè)量范圍:0—4000V
 2.峰值漏電流測(cè)量范圍:0—100mA
 3.峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍:0—99mA  
 4.觸發(fā)電壓測(cè)量范圍:0—5V 
 5.觸發(fā)電流測(cè)量范圍:0—450mA
 6.維持電流測(cè)量范圍:0—450mA
 7.通態(tài)峰值電流測(cè)試范圍:0—6000A
 8.通態(tài)峰值電壓測(cè)試范圍:0—5V
 9.整機(jī)電源功耗:AC220、≤1000VA

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