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| 品牌 | 其他品牌 | 產地 | 國產 |
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自動涂布機.CM1624D
1·涂布均勻，厚度平整
2· 涂布速度可以隨意調整
3· 操作方便，效率高
自動涂布機
型號CM10D CM1624D
自動涂布機.CM1624D
zui大網版尺寸1000x1000mm/1600x2400mm
涂布速度0-8m/min
電源220v/380v
功率1kw
重量400kg/500kg
 | 產品名稱：鏡面式露點變送器 產品型號：OPT |
鏡面式露點變送器 型號：OPT
產品簡介
嚴謹的工業過程需要精確的和可靠的測量與控制. 多年以來,密析爾的冷鏡式露點測量技術以其*的精度,可靠性與操作簡便而聞名,無論是在實驗室或是其他工業應用場合.現在,Optidew將所有的這些優勢集中到一個能于任何嚴格的露點或相對濕度測量的工業變送器中.
泛用的軟件使用戶能輕松設定儀器的參數如度量單位 (RH, 露點, 溫度, g/kg 及 g/m3), 輸出范圍, ℃ 或 ℉ 選擇等. 該軟件還能提供數據資料記錄和現場制圖,就象zui小值/zui大值/平均值 計算一樣便利.
Optidew 擁有單級或兩級冷卻,并且有一體式, 遠傳式或探針型傳感器供選擇. 兩種顯示選項提供 簡單的 3.5 數字 LED 顯示器或者是更復雜的背發光 LCD 顯示器以供選擇.
Optidew 的顯示系統使用高清晰的數字輸出用于顯示以測量的濕度讀數
產品特點
1.無漂移的露點測量原理
2.高性能的數字控制回路技術
3.結構牢固，IP66級工業標準外殼
4.工業過程露點、%RH和溫度精密測量
5.高溫傳感器可選，zui高130℃
| 測量范圍 | zui低露點-29℃（無輔助散熱，環境溫度21℃） |
| 精 度 | ±0.2露點 ±0.1℃溫度 |
| 反應速度 | 1℃每秒 |
| 測量單位 | ℃℉露點；℃℉溫度：%rh gm-3,gkg-1 |
| 工作壓力 | 高至25MPa |
| 工作溫度 | -40… +90℃（探頭部分）-20…+40℃（整機） |
| 變送器主體 | 316不銹鋼 |
| 傳感器鏡面 | 鍍金銅 |
| 電纜長度 | 250米 zui長 |
| 流量等級 | 建議位0.1…2NL/Min |
| 工作電源 | 85…264V,47/440Hz |
| 輸出信號 | 4…20 mA,RS232,報警 |
| 用戶校驗 | 出廠前已經校準 |
| 溯源性 | NPL（英國）和NIST(美國) |
| 質量保證期 | 12個月 |
 | 產品名稱：實驗室氨氮快速比色測定儀 實驗室氨氮測定儀 產品型號： 100NH |
實驗室氨氮快速比色測定儀 實驗室氨氮測定儀 型號： 100NH
儀器依測試標準的不同，有A、B類型。其中A型采用納氏試劑比色法GB7479-87；B型采用國標GB7418—81及ISO7150/1—1984所規范的水楊酸光度法為基本測試手段，輔以樣品比色反應預處理，實現樣品的快速、準確的比色測定，具有穩定、靈敏、可靠以及不含汞等優點。
特點：
1.儀器采用標準：水楊酸比色法完成水質氨氮測量，采用標準所規范的二氯異三氰酸鈉，取代常用次氯酸鈉，使試劑溶液含氯穩定性和有效性大大增強（B型）。
2.儀器可進行標準比色曲線的制作、貯存，并或根據不同水體對象進行水質氨氮比色曲線調整。
3.采用*光路比色系統，是儀器的可靠、穩定性有較大的提高。
4.*的樣品處理方式，在分析結果準確的前提下，縮短分析時間（B型）。
技術指標和性能參數
1.測量范圍：氨氮濃度0.01mg/L～20mg/L 直接測量；大于20mg/L的水質稀釋測量；
2.儀器準確度：氨氮濃度為0.01mg/L～0.1mg/L,對誤差≤±0.01mg/L；氨氮濃度為>0.1mg/L～1.0mg/L,相對誤差≤±10%
3.儀器重復性誤差：氨氮濃度為0.01mg/L～0.1mg/L,標準偏差S≤0.01mg/L；氨氮濃度為>0.1mg/L～1.0mg/L,相對標準偏差Cv≤8%
4.分析時間：不大于30min；
5.數據輸入：薄膜開關鍵盤；
6.數據輸出：LCD顯示，打印機打印
 | 產品名稱：半導體分立器件測試儀 產品型號：CS2935 |
半導體分立器件測試儀型號：CS2935
一、產品特點：
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數測試全、速度快、有良好的重復性和*性、工作穩定可靠，具有保護系統和被測器件的能力。測試儀由計算機操控，測試數據可存儲打印。除具有點測試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統軟件穩定可靠、硬件故障率低，在實際測試應用中各項技術指標均可達到器件手冊技術指標及國標要求。
二、測試參數
1． 二管
VF、IR、BVR
2． 穩壓（齊納）二管
VF、IR、BV Z
3． 晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶閘管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 場效應管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端穩壓器
VO、SV、ID、IDV
三、測試參數范圍
晶體管
測試參數 | 測試范圍 |
ICEO ICBO IEBO | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) VBE(sat) | 0.10V-30V |
VBE(VBE(on)) | 0.10V-30V |
hFE | 1－99999 |
V(BR)EBO | 0.10V-30V |
V(BR)CEO V(BR)CBO | 0. 10V-50V 50V-1499V |
二管
測試參數 | 測試范圍 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
V(BR) | 1V-50V |
50V-1499V |
穩壓二管
測試參數 | 測試范圍 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
VZ | 0.10V-50V |
三端穩壓器
測試參數 | 測試范圍 |
VO | 0.10V-30V |
SV | 0.10mV-1V |
ID | 1uA-10mA |
IDV | 1uA-10mA |
MOSFET
測試參數 | 測試范圍 |
VGS(th) | 0.10V-30V |
gfs | 0.1mS-1000S |
RDS(on) | 10mΩ-100KΩ |
VDS(on) | 0.10V-50V |
IGSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
IDSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
ID(on) | 0-50A |
V(BR)GSS | 0.1V-30V |
V(BR)DSS | 0.1V-1499V |
光耦
測試參數 | 測試范圍 |
VF | 0.10V-30V |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) | 0.10V-50V |
CTR | 0.1%-1000% |
ICEO | 與IR參數相同 |
V(BR)ECO V(BR)CEO | 0.10V-50V 50V-1499V |
可控硅
測試參數 | 測試范圍 |
IGT | 10uA-200mA |
VGT | 0.10V-30V |
IH | 10uA-1A |
IL | 10uA-1A |
VTM | 0.10V-50V |
四、技術指標
1、源的指標
主壓流源 (VA)
電壓：
設定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(14.6mV+0.5%set) |
±(10~50) | ±(73.2mV+0.5%set) |
電流：
測量范圍 | 精確度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A（脈沖） | ±(24.4mA+0.5%set) |
±(5-50)A（脈沖） | ±(244mA+0.5%set) |
壓流源 (VB)
電壓：
設定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(14.6mV+0.5%set) |
±(10~30) | ±(43.8mV+0.5%set) |
電流：
測量范圍 | 精確度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A（脈沖） | ±(24.4mA+0.5%set) |
±(5-50)A（脈沖） | ±(244mA+0.5%set) |
源（HV）
設定范圍（V） | 精確度 |
0~1500 | ±(1.22V+1%set) |
*1500V時 大輸出為5mA。
2、電壓表的指標
測漏電流
測量范圍 | 精確度 |
±(0~200)nA | ±(2.44nA+0.5% Rdg) |
±(0.2-2)uA | ±(24.4nA+0.5% Rdg) |
±(2-20)uA | ±(244nA+0.5% Rdg) |
±(20~200) uA | ±(2.44uA+0.5% Rdg) |
±(0.2~2)mA | ±(24.4uA+0.5% Rdg) |
±(2-20)mA | ±(244uA+0.5% Rdg) |
測試電壓
設定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(3mV+0.5% Rdg) |
±(10~50) | ±(15mV+0.5% Rdg) |
測擊穿電壓
設定范圍（V） | 精確度 |
（0~50）V/10mA | ±(36.6mV+0.25% Rdg) |
（50~1500）V/1mA | ±(610.3mV+1% Rdg) |
放大倍數
設定范圍（V） | 精確度 |
1~9999 | 1% |
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